1기술 성능의 지속적인 돌파구: 효율과 전력 밀도의 두 배 향상
장치 전압 수준은 1700V 이상으로 업그레이드
태양광 인버터의 DC 버스 전압이 1100V에서 1500V로 증가함에 따라 실리콘 카바이드 장치의 전압 저항이 동시에 업그레이드됩니다.온 메이와 같은 제조업체는 1700V SiC MOSFET 제품을 도입했으며, 1500V 고전압 플랫폼과 일치하여 더 높은 전력 전송 효율과 낮은 라인 손실을 얻을 수 있습니다..
베이직 반도체의 2세대 실리콘 카바이드 MOSFET는 100kW 인버터의 요구를 충족시키기 위해 특정 켜기 저항 (Rsp 2.8-3.3mΩ) 을 최적화함으로써 스위칭 손실을 30% 감소시킵니다.
전원 모듈 통합 및 고주파
쌍면 냉각 모듈 (IPM 패키지 등) 및 통합 드라이브 회로 사용으로 기생기 인덕턴스는 5nH 이하로 감소하여 100kHz 이상의 고주파 동작을 지원합니다.그리고 시스템 부피는 40% 감소합니다.
마이크로 인버터에 있는 콤팩트 실리콘 카바이드 장치는 열 분산 효율을 향상시켰고 전통적인 솔루션에 비해 TOLL 패키지 크기를 30% 줄였습니다.그리고 50W/cm3의 전력 밀도를 달성했습니다.

2. 비용 절감은 시장 진입의 급속한 증가를 주도합니다.
스케일 효과가 나타납니다.
실리콘 카바이드 장치의 가격은 계속 떨어집니다. SiC SBD의 단위 가격은 2017 년 4.1 유안 / A에서 1.4 유안 / A로 떨어졌습니다. MOSFET의 평균 연간 감소율은 30%-40%에 달했습니다.그리고 비용은 1에 가깝게 예상됩니다.2026년에는 실리콘 기반 기기의 0.5배가 될 것입니다.
중국의 실리콘 탄화물 기판 비용 목표는 2023년 3,000원/단위에서 2026년 2,000원/단위로 줄여졌으며, 이는 전체 산업 사슬의 비용 절감을 촉진했다.
하이브리드 솔루션은 적용의 임계치를 줄입니다.
테슬라가 제안한 "실리콘 + 실리콘 카바이드" 평행 시스템은 IGBT 기반의 실리콘 카바이드 장치의 일부를 추가하며 비용은 50%-60% 증가합니다.하지만 시스템 효율이 크게 향상되고 단축 저항이 강화됩니다., 태양광 에너지 저장 분야에서 시범적으로 적용되었습니다.

3. 지역화 과정을 가속화하기 위해 산업 사슬을 조정
전 세계 생산량 증대 및 국내 대체
국제 거대 인 Wolfspeed, Infineon 및 기타는 6 인치 실리콘 카비드 웨이퍼 생산 용량을 연간 4600만 개 (2026 년) 로 늘릴 계획입니다.중국 제조업체는 SAN '안 광전자 등 기판 대량 생산을 달성했습니다.2020년 15%에서 2025년 40%로
포장 기술 혁신
은 sintering 및 AMB (활성 금속 용조) 와 같은 첨단 포장 프로세스가 대중화됩니다.열 저항을 30% 줄이고 기기의 수명을 실리콘 기반 제품보다 50배까지 연장합니다..

4응용 시나리오는 산업 사슬 전체에 걸쳐 있습니다.
핵심 장치: 태양광 인버터 시장 지배
부스트 및 DC/AC 인버터 부문에서의 실리콘 카바이드 보급률은 35%에 달하고 2025년까지 50%를 넘어설 것으로 예상됩니다.실리콘 카비드를 사용하는 태양광 인버터의 변환 효율은 99%를 초과합니다., 그리고 전기의 전체 수명 주기에 대한 킬로와트 / 시간 비용은 12% 감소합니다.
재료 및 장비 혁신을 지원
실리콘 탄화물 보트 브래킷은 쿼츠 운반체를 대체하고, 온도 저항은 1600 ° C 이상으로 증가하고, 서비스 수명은 1 년 이상으로 연장됩니다.그리고 태양 전지 전지 생산에 대한 정전 시간 및 유지보수 비용이 감소합니다..
세라믹 조각 및 밀링 기계에 실리콘 카비드 정밀 구성 요소 미크론 가공을 달성하기 위해, 생산 비용은 50% 감소 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광 광프레임 및 기타 구조 부품 가벼운.

5과제와 대처 전략
기술적인 곤경
고주파 스위치로 인한 전자기 간섭 (EMI) 이 억제되어야 하며, 드라이브 회로는 100kV/μs의 dv/dt 변화율에 맞아야 합니다.그리고 사용자 정의 드라이버 칩의 개발은 중심을되었습니다.
신뢰성 검증 시스템
가혹한 야외 환경 (고온, 고 습도, 소금 스프레이) 에서 10년 가속 기상 테스트 표준을 설정하여 장치 고장율이 0.1%/1000시간 이하가 필요합니다.

결론
태양광 분야에서 실리콘 카바이드 기술은 "성능 돌파구 - 비용 탐구 - 현장 확장이"의 3 단계 전환을 겪고 있습니다. 2028년까지,전 세계 태양광 실리콘 카바이드 시장은 899억 달러, 그리고 중국 기업들의 기술 발전,모듈 포장 및 다른 링크는 글로벌 산업 패턴의 재구성을 촉진 할 것입니다.미래의 기술 반복은 결함 관리, 시스템 통합 최적화 및 표준 시스템 구축에 초점을 맞추어야합니다.